A.調(diào)整晶體生長的熱系統(tǒng),使熱場的徑向溫度梯度增大
B.調(diào)節(jié)拉晶的運(yùn)行參數(shù),例如對于凸向熔體的界面加快拉速,增加其凝固速度增加利用結(jié)晶潛熱使界面趨于平坦
C.調(diào)整晶體或者坩堝的轉(zhuǎn)速,調(diào)整高溫液流的增減
D.增大坩堝內(nèi)徑與晶體直徑的比值
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A.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B.單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C.單晶生長→整形→切片→蝕刻→晶片研磨及磨邊→拋光→硅片檢測→打包
D.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包
A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④
A.化學(xué)清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗
A.低,好,多
B.低,好,少
C.低,差,多
D.高,好,多
A.90%
B.92%
C.95%
D.97%
最新試題
PN結(jié)的基本特性是()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
下列是晶體的是()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()