A、分凝
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、損壞
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A、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B、單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包
D、單晶生長→整形→蝕刻→拋光→硅片檢測→切片→晶片研磨及磨邊→打包
A、3
B、5
C、4
D、2
A、1234
B、123
C、1456
D、4567
A、加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→等徑生長—→尾部生長
B、加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→尾部生長—→等徑生長
C、加料—→縮頸生長—→熔化—→放肩生長—→尾部生長—→等徑生長
D、加料—→放肩生長—→縮頸生長—→熔化—→尾部生長—→等徑生長
A.調(diào)整晶體生長的熱系統(tǒng),使熱場的徑向溫度梯度增大
B.調(diào)節(jié)拉晶的運行參數(shù),例如對于凸向熔體的界面加快拉速,增加其凝固速度增加利用結晶潛熱使界面趨于平坦
C.調(diào)整晶體或者坩堝的轉速,調(diào)整高溫液流的增減
D.增大坩堝內(nèi)徑與晶體直徑的比值
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()