A.互為反函數(shù)
B.互為對(duì)偶式
B.相等
D.答案都不正確
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A.倒相
B.邏輯乘
C.提高帶負(fù)載能力
D.提高抗干擾能力
A.原子和中子
B.電子和空穴
C.電子和質(zhì)子
D.電子和離子
A.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)反偏置
B.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)正偏置
C.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)正偏置
D.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)反偏置
A.VD>0.5V,VD<0.7V
B.VD>0.7V,VD<0.5V
C.VD>0.7V,VD<0.7V
D.VD>0.5V,VD<0.5V
A.互非
B.對(duì)偶
C.相等
D.無(wú)任何關(guān)系
A.連續(xù)變化的
B.模擬
C.離散的
D.數(shù)字
A.幾十納秒
B.幾十微秒
C.幾百微秒
D.幾十毫秒
A.幾十納秒
B.幾十微秒
C.幾十毫秒
D.幾百毫秒
A.較高轉(zhuǎn)換精度
B.極強(qiáng)抗50HZ干擾
C.較快的轉(zhuǎn)換速度
D.較高分辨率
A.6
B.8
C.10
D.12
最新試題
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
根據(jù)什么判斷簡(jiǎn)單電路中的險(xiǎn)象存在?
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門,可以擴(kuò)展得到1個(gè)()線譯碼器。
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是()
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象,如何避免空翻?
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
以下代碼中為無(wú)權(quán)碼的為()。
一個(gè)VHDL模塊是否必須有一個(gè)實(shí)體和一個(gè)結(jié)構(gòu)體?是否可以有多個(gè)實(shí)體和結(jié)構(gòu)體?簡(jiǎn)述它們的作用。
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?