單項(xiàng)選擇題可編程（與、或陣列皆可編程）的可編程邏輯器件有（）。
A.PAL
B.GAL
C.PROM
D.PLA
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1.單項(xiàng)選擇題PAL的結(jié)構(gòu)是（）。
A.PAL的或陣列可編程
B.PAL的與陣列、或陣列均不可編程
C.PAL與陣列、或陣列均可編程
D.PAL的與陣列可編程
2.單項(xiàng)選擇題PLD的結(jié)構(gòu)不包括（）。
A.輸入緩沖電路
B.與陣列
C.輸出緩沖電路
D.移位寄存器
3.單項(xiàng)選擇題以下各電路中，（）可以產(chǎn)生脈沖定時(shí)。
A.多諧振蕩器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.施密特觸發(fā)器
D.石英晶體多謝振蕩器
4.單項(xiàng)選擇題用555定時(shí)器組成施密特觸發(fā)器，當(dāng)輸入控制端CO外接10V電壓時(shí)，回差電壓為（）。
A.3.33V
B.5V
C.6.66V
D.10V
5.單項(xiàng)選擇題555定時(shí)器不可以組成（）。
A.多諧振蕩器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.施密特觸發(fā)器
D.JK觸發(fā)器
最新試題
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D，則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：單項(xiàng)選擇題
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
用1M×4的DRAM芯片通過（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
題型：單項(xiàng)選擇題
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時(shí)，兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：單項(xiàng)選擇題
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
用原碼輸出的譯碼器實(shí)現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù)，需要增加若干個(gè)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
要使JK觸發(fā)器的輸出Q從1就成0，它的輸入信號(hào)JK就為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題