A.高電平
B.低電平
C.高阻
D.失效
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A.TTL集成門(mén)電路的電源電壓比CMOS集成門(mén)電路的電源電壓范圍寬。
B.TTL集成門(mén)電路的功耗比CMOS集成門(mén)電路的功耗低。
C.TTL與非門(mén)的輸入端可以懸空,CMOS與非門(mén)的輸入端不可以懸空。
D.TTL與非門(mén)和CMOS與非門(mén)的輸入端都可以懸空。
A.電壓傳輸特性
B.輸入特性
C.輸出特性
D.動(dòng)態(tài)特性
A.結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低
B.輸出的高低電平數(shù)值和輸入高、低電平數(shù)值不相等
C.帶負(fù)載能力差
D.帶負(fù)載能力強(qiáng)
A.邏輯符號(hào)
B.功能表
C.真值表
D.狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖
A.TTL集成電路
B.PMOS集成電路
C.NMOS集成電路
D.CMOS集成電路
A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.電阻
A.雙極性集成電路
B.TTL集成電路
C.CMOS集成電路
D.單極性集成電路
A.電阻
B.電容
C.二極管
D.三極管
A.輸入低電平時(shí),三極管工作在截止區(qū),輸出為高電平。
B.輸入高電平時(shí),三極管工作在飽和區(qū),輸出為低電平。
C.輸入低電平時(shí),三極管工作在截止區(qū),輸出為低電平。
D.輸入高電平時(shí),三極管工作在飽和區(qū),輸出為高電平。
A.電阻
B.電位器
C.二極管
D.三極管
最新試題
兩個(gè)與非門(mén)構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)()。
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài),如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)?
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D,則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的()。
ROM可以用來(lái)存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)()。
TTL與非門(mén)閾值電壓UT的典型值是()
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案,比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來(lái)實(shí)現(xiàn),設(shè)計(jì)方案是最佳嗎?簡(jiǎn)述理由。
要使JK觸發(fā)器的輸出Q從1就成0,它的輸入信號(hào)JK就為()。
一個(gè)兩輸入端的門(mén)電路,當(dāng)輸入為10時(shí),輸出不是1的門(mén)電路為()