A.TTL
B.ECL
C.HTL
D.I2L
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A.高電平
B.低電平
C.高阻
D.失效
A.TTL集成門(mén)電路的電源電壓比CMOS集成門(mén)電路的電源電壓范圍寬。
B.TTL集成門(mén)電路的功耗比CMOS集成門(mén)電路的功耗低。
C.TTL與非門(mén)的輸入端可以懸空,CMOS與非門(mén)的輸入端不可以懸空。
D.TTL與非門(mén)和CMOS與非門(mén)的輸入端都可以懸空。
A.電壓傳輸特性
B.輸入特性
C.輸出特性
D.動(dòng)態(tài)特性
A.結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低
B.輸出的高低電平數(shù)值和輸入高、低電平數(shù)值不相等
C.帶負(fù)載能力差
D.帶負(fù)載能力強(qiáng)
A.邏輯符號(hào)
B.功能表
C.真值表
D.狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖
A.TTL集成電路
B.PMOS集成電路
C.NMOS集成電路
D.CMOS集成電路
A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.電阻
A.雙極性集成電路
B.TTL集成電路
C.CMOS集成電路
D.單極性集成電路
A.電阻
B.電容
C.二極管
D.三極管
A.輸入低電平時(shí),三極管工作在截止區(qū),輸出為高電平。
B.輸入高電平時(shí),三極管工作在飽和區(qū),輸出為低電平。
C.輸入低電平時(shí),三極管工作在截止區(qū),輸出為低電平。
D.輸入高電平時(shí),三極管工作在飽和區(qū),輸出為高電平。
最新試題
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電,()中的信息能夠保持不變。
()在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用,其中一個(gè)重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線。
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?
TTL與非門(mén)輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是()
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案,比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來(lái)實(shí)現(xiàn),設(shè)計(jì)方案是最佳嗎?簡(jiǎn)述理由。
根據(jù)什么判斷簡(jiǎn)單電路中的險(xiǎn)象存在?
一個(gè)16選一的數(shù)據(jù)選擇器,其地址輸入(選擇控制輸入)端有()個(gè)。
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路?請(qǐng)說(shuō)明理由。