A.下降沿觸發(fā)的JK觸發(fā)器
B.維持-阻塞結構的D觸發(fā)器
C.主從RS觸發(fā)器
D.T觸發(fā)器
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A.基本RS觸發(fā)器
B.同步RS觸發(fā)器
C.JK觸發(fā)器
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A.同步DC觸發(fā)器
B.同步RS觸發(fā)器
C.主從RS觸發(fā)器
D.基本RS觸發(fā)器
A.同步DC觸發(fā)器
B.同步RS觸發(fā)器
C.主從RS觸發(fā)器
D.基本RS觸發(fā)器
A.有2個穩(wěn)定狀態(tài),即0態(tài)和1態(tài)
B.觸發(fā)器除了可以置0和置1外,還可以置為高阻態(tài)。
C.在外加輸入信號的觸發(fā)下,觸發(fā)器可以改變原來的狀態(tài),具有置0和置1功能。
D.沒有外加信號作用時,觸發(fā)器可以保持原來的狀態(tài)不變。
A.基本RS觸發(fā)器
B.D觸發(fā)器
C.主從JK觸發(fā)器
D.邊沿JK觸發(fā)器
最新試題
一個VHDL模塊是否必須有一個實體和一個結構體?是否可以有多個實體和結構體?簡述它們的作用。
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少?
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D,則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的()。
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài),所以它不能被稱為()觸發(fā)器。
小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字數(shù)與外部地址線數(shù)n的關系一般為()
采用浮柵技術的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
用1M×4的DRAM芯片通過()擴展可以獲得4M×8的存儲器。
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時輸入()路編碼信號。
利用2個74LS138和1個非門,可以擴展得到1個()線譯碼器。
以下代碼中為無權碼的為()。