單項選擇題P型半導體與N型半導體結合時,會在PN接合面上形成空乏區(qū),則空乏區(qū)靠N型側內有下列何者?()
A.電子
B.電洞
C.正離子
D.負離子
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1.單項選擇題有關稽納二極管的敘述,下列何者為真?()
A.它是個定電壓組件
B.它是個定電流組件
C.它工作在順向區(qū)
D.它具有負電阻特性
2.單項選擇題整塊N型半導體是呈()
A.負電性
B.正電性
C.電中性
D.不一定
3.單項選擇題在實用電路上,變容二極管的電容量與外加變容二極管兩端之()
A.逆向電壓成正比
B.逆向電壓成反比
C.順向電壓成正比
D.順向電壓成反比
E.以上皆非
4.單項選擇題下列何者不適于高頻電路?()
A.透納二極管
B.蕭特基二極管
C.變容二極管
D.稽納二極管
5.單項選擇題電子的移動速度比電洞()
A.慢
B.快
C.相同
D.不一定
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