單項(xiàng)選擇題絕緣柵雙極型晶體管簡(jiǎn)稱()。

A、MOSFET
B、IGBT
C、GTR
D、GTO


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1.單項(xiàng)選擇題TTL集成邏輯門電路內(nèi)部是以()為基本元件構(gòu)成的。

A、二極管
B、晶體管
C、晶閘管
D、場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2.單項(xiàng)選擇題CMSO集成邏輯門電路內(nèi)部是以()為基本元件構(gòu)成的。

A、二極管
B、晶體管
C、晶閘管
D、場(chǎng)效應(yīng)晶體管

3.單項(xiàng)選擇題磁路基爾霍夫磁通定律中,穿過(guò)閉合的磁通的代數(shù)和必為()。

A、正數(shù)
B、負(fù)數(shù)
C、零
D、無(wú)窮大A、正數(shù)
B、負(fù)數(shù)
C、零
D、無(wú)窮大

4.單項(xiàng)選擇題線圈產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小正比于穿過(guò)線圈的()。

A、磁通量的變化量
B、磁通量的變化率
C、磁通量的大小
D、磁通量的方向

5.單項(xiàng)選擇題任意一個(gè)有源線性二端網(wǎng)絡(luò)可以等效成一個(gè)含有內(nèi)阻的電壓源,該等效電源的內(nèi)阻和電動(dòng)勢(shì)是由()的。

A、網(wǎng)絡(luò)參數(shù)和結(jié)構(gòu)決定
B、所接負(fù)載的大小和性質(zhì)決定
C、網(wǎng)絡(luò)和負(fù)載同時(shí)決定
D、網(wǎng)絡(luò)參數(shù)和負(fù)載大小決定

最新試題

電流互感器的二次回路應(yīng)有一個(gè)接地點(diǎn)。但對(duì)于有幾組電流互感器連接在一起的保護(hù),則應(yīng)在()處接地。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在分析電路時(shí),由于電流正方向是可以任意選取,在計(jì)算過(guò)程中,電流的正方向可以隨之改變。

題型:判斷題

系統(tǒng)振蕩時(shí),正確處理的方法有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

中性點(diǎn)不接地系統(tǒng)發(fā)生單相金屬性接地時(shí),接地相對(duì)地電壓變?yōu)椋ǎ?/p>

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在最大負(fù)荷情況下保護(hù)動(dòng)作時(shí),直流母線電壓最高不應(yīng)超過(guò)額定電壓的()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

電力網(wǎng)中所采用的電抗器按結(jié)構(gòu)及冷卻介質(zhì)分為()等幾種類型。

題型:多項(xiàng)選擇題

在接觸故障電容器前,還應(yīng)戴上絕緣手套,用短路線將故障電容器的兩極短接并接地,方可動(dòng)手拆卸,對(duì)雙星形接線電容器組的中性線及多個(gè)電容器的串聯(lián),還應(yīng)單獨(dú)放電。

題型:判斷題

攜帶型儀表的定期校驗(yàn)每年至少一次,常用的儀表每半年至少一次。

題型:判斷題

電力系統(tǒng)規(guī)定,大容量電力系統(tǒng)的頻率偏差允許值為±0.5Hz。

題型:判斷題

磁電式電流表只能測(cè)量直流,不能測(cè)量交流。

題型:判斷題