填空題A/D是通過取樣、()、量化和編碼四個(gè)步驟完成的。
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簡要說明綜采設(shè)備磨損后的對策分析。
題型:問答題
敘述綜采工作面供電系統(tǒng)的擬定原則。
題型:問答題
電力電子器件GTR表示()。
題型:單項(xiàng)選擇題
GTR在應(yīng)用中應(yīng)特別注意二次擊穿問題,在電感性負(fù)載和大電流開關(guān)電路中,二次擊穿是晶體管毀壞的主要原因。二次擊穿將造成GTR的永久性損壞,不具有可逆性。發(fā)生二次擊穿必須同時(shí)具備三個(gè)條件,即高電壓、大電流和()。
題型:單項(xiàng)選擇題
“停止”的英文表示是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
實(shí)踐證明,當(dāng)控制電纜與干擾源電纜間的距離且應(yīng)在兩電纜間設(shè)置屏蔽導(dǎo)體,再將屏蔽導(dǎo)體接地,達(dá)到導(dǎo)體直徑()倍以上時(shí),干擾程度就不大明顯。
題型:單項(xiàng)選擇題
撤除設(shè)備時(shí),先停電、驗(yàn)電,檢查瓦斯?jié)舛仍冢ǎ?以下時(shí),再將導(dǎo)體對地放電,并懸掛“有人工作”不準(zhǔn)送電。
題型:單項(xiàng)選擇題
選擇電容器的替代件時(shí)電容器的()首先要滿足要求。
題型:填空題
敘述推廣新技術(shù)的要求要求有哪些?
題型:問答題
在一個(gè)半導(dǎo)體薄片相對的兩側(cè)通以控制電流,在薄片垂直方向加以磁場,則在半導(dǎo)體另外兩側(cè)會(huì)產(chǎn)生一電動(dòng)勢,其大小與控制電流和磁場的乘積成正比。利用這種原理制成的檢測裝置叫做()。
題型:單項(xiàng)選擇題