單項(xiàng)選擇題在N型半導(dǎo)體里，導(dǎo)電的主要載子是（）
A.自由電子
B.電洞
C.離子
D.以上皆是
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1.單項(xiàng)選擇題純半導(dǎo)體內(nèi)若摻入銦（In）元素的原子則形成（）
A.N型半導(dǎo)體
B.P型半導(dǎo)體
C.本質(zhì)半導(dǎo)體
D.帶電半導(dǎo)體
2.單項(xiàng)選擇題
電路符號(hào)
為是（）
A.LED
B.光電二極管
C.變?nèi)荻O管
D.稽納二極管
3.單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)硅與鍺二極管之比較何者正確？（）
A.硅二極管的逆向峰值電壓遠(yuǎn)高于鍺二極管
B.硅二極管的可工作溫度遠(yuǎn)低于鍺二極管
C.硅二極管的臨界電壓低于鍺二極管
D.硅二極管的反向飽和電流高鍺二極管
4.單項(xiàng)選擇題稽納二極管（Zener diode）的崩潰電壓參考值為5～6伏特時(shí)，則稽納電壓VZ在6伏特以下時(shí)的溫度系數(shù)為（）
A.正值
B.負(fù)值
C.不變
D.以上皆非
5.單項(xiàng)選擇題
如圖所發(fā)生的電流I稱為（）
A.順向電流
B.逆向電流
C.渦流
D.接觸電流
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下列哪種類型的正弦波振蕩器輸出功率大且頻率較高？（）
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