A.一般給雙側(cè)面頸野等中心對(duì)穿照射
B.如單側(cè)病變可在DT4000~5000cGy后改為單側(cè)β線照射
C.無(wú)論上頸部是否有轉(zhuǎn)移淋巴結(jié),下頸鎖骨上應(yīng)常規(guī)照射
D.術(shù)后放療DT5000~6000cGy/5~6w
E.常采用側(cè)臥位,頭固定,張口含咬合器
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A.不易發(fā)生淋巴轉(zhuǎn)移
B.常發(fā)生雙側(cè)頸部淋巴結(jié)轉(zhuǎn)移
C.常侵及舌系帶
D.常侵及頜下腺
E.常侵及下頜骨
A.上齒齦癌較為少見(jiàn),常侵犯上頜骨
B.齒齦癌確診時(shí)約1/3的患者出現(xiàn)淋巴轉(zhuǎn)移
C.齒齦癌以放射治療為首選
D.下齒齦癌照射野應(yīng)包括同側(cè)全下頜骨(尤其是下齒齦癌侵犯下頜骨)
E.齒齦癌單純放射治療應(yīng)注意治療過(guò)程中逐漸縮野
A.腫瘤靠前者應(yīng)包下唇
B.腫瘤靠后者可不包下唇
C.后界一般置于椎體前緣
D.上界在舌上緣上2cm
E.下界一般置于舌骨下緣水平
A.病變較小的表淺的T1期舌癌
B.齒齦癌
C.病變較小比較靠后的舌癌
D.高分級(jí)的小涎腺來(lái)源的囊性腺樣上皮癌
E.累及相鄰頜骨的T3、T4頰黏膜癌
A.上頜骨
B.上齦區(qū)
C.下齦區(qū)
D.磨牙后區(qū)
E.頰肌皮膚
最新試題
6MeV電子束穿射5%所需LML的厚度是()
屬于后裝機(jī)低劑量率(LDR)的范圍的是()
下列有關(guān)DRR描述中不正確的是()
低熔點(diǎn)鉛中成分最小的是()
低熔點(diǎn)鉛全擋時(shí),其厚度要使射線的穿射量不超過(guò)()
關(guān)于患者治療部位解剖結(jié)構(gòu)的表達(dá)描述正確的是()
低熔點(diǎn)鉛中成分最大的是()
以下關(guān)于模擬定位機(jī)描述錯(cuò)誤的是()
全擋塊一般需要半價(jià)層個(gè)數(shù)是()
以下關(guān)于治療計(jì)劃系統(tǒng)描述正確的是()