A.SISD
B.SIMD
C.MISD
D.MIMD
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A.SISD
B.SIMD
C.MISD
D.MIMD
用作存儲(chǔ)器的芯片有不同的類型?？呻S機(jī)讀寫，且只要不斷電則其中存儲(chǔ)的信息就可一直保存的，稱為（1）；可隨機(jī)讀寫，但即使在不斷電的情況下其存儲(chǔ)信息也要定時(shí)刷新才不致丟失的是（2）：所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫好后就無法再改變的稱為（3）；通過紫外線照射后可擦除所有信息，然后重新寫入新的信息并可多次進(jìn)行的是（4）；通過電信號(hào)可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息，但不能進(jìn)行字節(jié)級(jí)別刪除操作的是（5）。
空白（5）處應(yīng)選擇（）
A.EEPROM
B.FlashMemory
C.EPROM
D.VirtualMemory
用作存儲(chǔ)器的芯片有不同的類型?？呻S機(jī)讀寫，且只要不斷電則其中存儲(chǔ)的信息就可一直保存的，稱為（1）；可隨機(jī)讀寫，但即使在不斷電的情況下其存儲(chǔ)信息也要定時(shí)刷新才不致丟失的是（2）：所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫好后就無法再改變的稱為（3）；通過紫外線照射后可擦除所有信息，然后重新寫入新的信息并可多次進(jìn)行的是（4）；通過電信號(hào)可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息，但不能進(jìn)行字節(jié)級(jí)別刪除操作的是（5）。
空白（4）處應(yīng)選擇（）
A.EPROM
B.PROM
C.ROM
D.CDROM
用作存儲(chǔ)器的芯片有不同的類型?？呻S機(jī)讀寫，且只要不斷電則其中存儲(chǔ)的信息就可一直保存的，稱為（1）；可隨機(jī)讀寫，但即使在不斷電的情況下其存儲(chǔ)信息也要定時(shí)刷新才不致丟失的是（2）：所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫好后就無法再改變的稱為（3）；通過紫外線照射后可擦除所有信息，然后重新寫入新的信息并可多次進(jìn)行的是（4）；通過電信號(hào)可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息，但不能進(jìn)行字節(jié)級(jí)別刪除操作的是（5）。
空白（3）處應(yīng)選擇（）
A.EPROM
B.PROM
C.ROM
D.CDROM
用作存儲(chǔ)器的芯片有不同的類型?？呻S機(jī)讀寫，且只要不斷電則其中存儲(chǔ)的信息就可一直保存的，稱為（1）；可隨機(jī)讀寫，但即使在不斷電的情況下其存儲(chǔ)信息也要定時(shí)刷新才不致丟失的是（2）：所存信息由生產(chǎn)廠家用掩膜技術(shù)寫好后就無法再改變的稱為（3）；通過紫外線照射后可擦除所有信息，然后重新寫入新的信息并可多次進(jìn)行的是（4）；通過電信號(hào)可在數(shù)秒內(nèi)快速刪除全部信息，但不能進(jìn)行字節(jié)級(jí)別刪除操作的是（5）。
空白（2）處應(yīng)選擇（）
A.RAM
B.VRAM
C.DRAM
D.SRAM
最新試題
計(jì)算機(jī)容錯(cuò)技術(shù)是指采用冗余方法消除故障影響，一般有（）和（）兩種方法。
簡(jiǎn)述使用直接內(nèi)存存取DMA傳輸數(shù)據(jù)的過程。
空白（1）處應(yīng)選擇（）
漢字編碼中字形碼是漢字的輸出方式，它的兩種表示方式是（）和（）。
空白（1）處應(yīng)選擇（）
空白（1）處應(yīng)選擇（）
相聯(lián)存儲(chǔ)器是按（）訪問的存儲(chǔ)器，它一般應(yīng)用在（）中。
16位二進(jìn)制原碼所能表示的范圍為（），16位反碼所能表示的范圍為（），16位補(bǔ)碼所能表示的范圍為（）。
如果存儲(chǔ)器周期是400ns，而每個(gè)周期可訪問4字節(jié)，則存儲(chǔ)器帶寬為（）。
空白（2）處應(yīng)選擇（）