單晶體金屬特點(diǎn)有（）。

用雙晶探頭檢測(cè)時(shí)，為增加缺陷顯現(xiàn)次數(shù)和反射幅度，檢測(cè)細(xì)長(zhǎng)缺陷應(yīng)使探頭（）。

滲透檢測(cè)工藝對(duì)顯像操作的要求有（）。

滲透檢測(cè)時(shí)，滲入的滲透液有一些被截留在缺陷內(nèi)，將受檢部位置于合適的光源（發(fā)光強(qiáng)度足夠）下檢查時(shí)，下列說法正確的有（）。

對(duì)漏磁檢測(cè)原理描述正確的有（）。

將彎曲液面對(duì)液體的壓強(qiáng)與平面液面對(duì)液體的壓強(qiáng)相比，任何液面膜對(duì)液體施以附加壓強(qiáng)，下面描述正確的是（）。

阻止?jié)B透液滲入及滲出表面開口缺陷的固體污染物有（）。

磁場(chǎng)信號(hào)測(cè)量中可采用（）方法。

關(guān)于波束未擴(kuò)散區(qū)，說法正確的是（）。

工藝評(píng)定試件焊后應(yīng)進(jìn)行（）。