A.半導(dǎo)體內(nèi)載子濃度不均
B.半導(dǎo)體內(nèi)出現(xiàn)外加電壓
C.半導(dǎo)體內(nèi)出現(xiàn)溫度差
D.半導(dǎo)體內(nèi)出現(xiàn)電差
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A.0.45eV
B.0.72eV
C.1.1eV
D.1.6eV
如圖所示，當(dāng)Vin為12V時(shí)，則輸出Vout為？（）
A.12V
B.5.8V
C.5.1V
D.4.8V
如圖所示，若稽納二極管的崩潰電壓為9V，則輸出電壓Vo為何？（）
A.12V
B.9V
C.6V
D.1V
A.整流
B.截波
C.箝位
D.以上皆是
A.經(jīng)過摻雜（Doping）處理的半導(dǎo)體稱為本質(zhì)（Intrinsic）半導(dǎo)體
B.具有5個(gè)價(jià)電子的雜質(zhì)稱為施體（Donor）
C.N型材料的多數(shù)載子是電子
D.P型材料的少數(shù)載子是電子
最新試題
SR觸發(fā)器是由什么組成的？（）
負(fù)反饋在放大電路中的主要作用不包括以下哪一項(xiàng)？（）
74LS163的計(jì)數(shù)功能是如何實(shí)現(xiàn)的？（）
如何使用555時(shí)基電路構(gòu)成多諧振蕩器？（）
74LS163是什么類型的計(jì)數(shù)器？（）
555時(shí)基電路的主要功能不包括以下哪項(xiàng)？（）
甲類低頻功率放大器的特點(diǎn)是什么？（）
T觸發(fā)器的主要功能是什么？（）
74LS163的預(yù)置功能是如何實(shí)現(xiàn)的？（）
低頻功率放大器的基本要求通常不包括以下哪一項(xiàng)？（）