單項(xiàng)選擇題單相可控硅要滿足由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箺l件，應(yīng)采取的措施是（）。

A.升高陽(yáng)極電壓
B.降低陰極電壓
C.斷開(kāi)陽(yáng)極電源
D.斷開(kāi)控制電路


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1.單項(xiàng)選擇題單相可控硅由導(dǎo)通變?yōu)榻刂?，要滿足（）條件。

A.升高陽(yáng)極電壓
B.降低陰極電壓
C.斷開(kāi)控制電路
D.正向電流小于最小維持電流

2.單項(xiàng)選擇題普通晶閘管門極與陰極間的反向電阻比正向電阻（）。

A.稍大
B.基本相等
C.明顯大一些
D.小一些

4.單項(xiàng)選擇題晶閘管導(dǎo)通的條件是（）。

A.陽(yáng)極和陰極間加正向電壓，門極不加電壓
B.陽(yáng)極和陰極間加反向電壓，門極和陰極間加正向電壓
C.陽(yáng)極和陰極、門極和陰極間都加正向電壓
D.陽(yáng)極和陰極間加正向電壓，門極加反向電壓

5.單項(xiàng)選擇題關(guān)于單相晶閘管的構(gòu)成，下述說(shuō)法中正確地是（）。

A.可以等效的看成是由3個(gè)三極管構(gòu)成的
B.可以等效的看成是由1個(gè)NPN，1個(gè)PNP三極管構(gòu)成的
C.可以等效的看成是由2個(gè)NPN三極管構(gòu)成的
D.可以等效的看成是由2個(gè)PNP三極管構(gòu)成的