單項(xiàng)選擇題

如圖所示的單相橋式全控整流電路，晶閘管觸發(fā)相位范圍（）。

A.α
B.90°
C.180°-α
D.180°


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2.單項(xiàng)選擇題

對(duì)于如下圖所示的電路，下列哪種說(shuō)法是不正確的？（）

A.變壓器副邊的電壓和電流是同相的
B.在u2的正半周，輸出電壓ud =u2
C.二極管端電壓uVD的最高反向電圧等于u2的峰值電壓
D.輸出電壓平均值

3.單項(xiàng)選擇題?晶閘管正常工作特性中，（）的描述是正確的。

A.由于負(fù)載電感的作用，晶閘管可能流過(guò)反向陽(yáng)極電流
B.只要門(mén)極有觸發(fā)電流，晶閘管就能開(kāi)通
C.晶閘管一旦導(dǎo)通，門(mén)極就失去控制作用
D.若要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，只需使流過(guò)晶閘管的陽(yáng)極電流降到擎住電流以下

4.單項(xiàng)選擇題

在如下圖所示的晶閘管雙晶體管模型中，（）是體現(xiàn)晶閘管半控性特征。

A.IG增大，IC2增大，IC1增大，IK達(dá)到飽和導(dǎo)通電流。IG移除，IK不變
B.IG增大，IC2增大，IC1減小，IK達(dá)到飽和導(dǎo)通電流。IG移除，IK不變
C.IG增大，IC2增大，IC1增大，IK達(dá)到飽和導(dǎo)通電流。IG移除，IC2減小，IC1減小，IK減小至0
D.IG增大，IC2增大，IC1減小，IK達(dá)到飽和導(dǎo)通電流。IG移除，IC2減小，IC1減小，IK減小至0

5.單項(xiàng)選擇題寬禁帶半導(dǎo)體材料用于制作新型電力電子開(kāi)關(guān)，下列描述（）不屬于它的特點(diǎn)。

A.耐受高電壓的能力
B.較高的通態(tài)電阻
C.更好的導(dǎo)熱性能
D.熱穩(wěn)定性好，抗輻射的能力強(qiáng)

6.單項(xiàng)選擇題?下面的描述（）不屬于電力MOSFET的特性。

A.驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，需要的驅(qū)動(dòng)功率小，開(kāi)關(guān)速度快
B.耐壓高，電流容量大
C.反型層形成溝道導(dǎo)電
D.通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流有利

8.單項(xiàng)選擇題大功率交流電機(jī)拖動(dòng)系統(tǒng)常采用交交變頻器，其輸出電壓頻率的上限與（）無(wú)關(guān)。

A.輸出電流波形畸變的范圍
B.轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)的范圍
C.輸出功率范圍
D.電壓波形畸變的范圍

10.單項(xiàng)選擇題不適合采用交流調(diào)壓技術(shù)的場(chǎng)合有（）。

A.感應(yīng)電機(jī)軟啟動(dòng)控制
B.連續(xù)的無(wú)功調(diào)節(jié)
C.燈光控制
D.位置伺服系統(tǒng)