A．很強(qiáng)／更強(qiáng)
B．很強(qiáng)／降低
C．很弱／提高
D．很弱／更弱
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A．空穴／自由電子
B．自由電子／空穴
C．空穴／共價(jià)鍵電子
D．負(fù)離子／正離子
A．自由電子
B．空穴
C．束縛電子
D．晶格上的離子
A.自由電子
B.空穴
C.束縛電子
D.晶格上的離子
A．自由電子、空穴、位于晶格上的離子
B．無(wú)論P(yáng)型還是N型半導(dǎo)體，自由電子、空穴都是導(dǎo)電介質(zhì)
C．對(duì)于P型半導(dǎo)體，空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)
D．對(duì)于N型半導(dǎo)體，空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)
A.環(huán)境溫度降低
B.摻雜金屬元素
C.增大環(huán)境光照強(qiáng)度
D.摻雜非金屬元素
最新試題
晶閘管導(dǎo)通后控制極電源線脫落，將產(chǎn)生的現(xiàn)象是（）。
晶體管作為開(kāi)關(guān)使用時(shí)，主要工作于（）。
設(shè)v+、v－分別是理想運(yùn)放的同相輸入端、反相輸入端的電位；設(shè)i+、i－分別是該兩端的輸入電流。若運(yùn)放工作于線性區(qū)，則（）。
可控硅導(dǎo)通的條件是（）。
關(guān)于集成運(yùn)放的下列說(shuō)法，正確的是（）。
對(duì)運(yùn)算放大器來(lái)說(shuō)，錯(cuò)誤的說(shuō)法是（）。
當(dāng)邏輯變量A=1、B=0、C=1時(shí)，求邏輯函數(shù)的值為（）。
在三極管基本放大電路中，為了獲得最大的不失真電壓放大，應(yīng)該將靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置在三極管的（）。
在三極管基本放大電路中，由于靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不合適而出現(xiàn)飽和失真。為了改善失真波形，方便的做法是應(yīng)（）。
當(dāng)邏輯變量A=1、B=1、C=1時(shí)，求邏輯函數(shù)的值為（）。