單項(xiàng)選擇題對于形成雜質(zhì)缺陷而言，高價正離子占據(jù)低價正離子位置時，該位置帶有正電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（）。
A.正離子空位
B.間隙負(fù)離子
C.負(fù)離子空位
D.A或B
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1.單項(xiàng)選擇題對于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價正離子占據(jù)高價正離子位置時，該位置帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（）。
A.負(fù)離子空位
B.間隙正離子
C.間隙負(fù)離子
D.A或B
2.單項(xiàng)選擇題位錯的（）是指在熱缺陷的作用下，位錯在垂直滑移方向的運(yùn)動，結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。
A.攀移
B.滑移
C.增值
D.減少
3.單項(xiàng)選擇題點(diǎn)缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動力學(xué)過程等有關(guān)，以下點(diǎn)缺陷中屬于本征缺陷的是（）。
A.弗侖克爾缺陷
B.肖特基缺陷
C.雜質(zhì)缺陷
D.A+B
4.單項(xiàng)選擇題根據(jù)鮑林（Pauling）規(guī)則，離子晶體MX2中二價陽離子的配位數(shù)為8時，一價陰離子的配位數(shù)為（）。
A.2
B.4
C.6
D.8
5.單項(xiàng)選擇題對沸石、螢石、MgO三類晶體具有的空隙體積相比較，其由大到小的順序?yàn)椋ǎ?/a>
A.沸石>螢石>MgO
B.沸石>MgO>螢石
C.螢石>沸石>MgO
D.螢石>MgO>沸石
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以下屬于干法成型的方法有（）
題型：單項(xiàng)選擇題
最輕且廉價的塑料是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
生物醫(yī)用材料按性質(zhì)分類可分為（）
題型：多項(xiàng)選擇題
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題型：多項(xiàng)選擇題
特種陶瓷的氣孔率在什么范圍？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
按性能分可將復(fù)合材料分為（）
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下列屬于晶體缺陷的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
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題型：多項(xiàng)選擇題
準(zhǔn)一維納米材料是指在兩個維度上為納米尺度，長度約為微米級、毫米級的新型納米材料。下列各選項(xiàng)中，屬于準(zhǔn)一維納米材料的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
除取向有序外，還有分子質(zhì)心組成的層狀結(jié)構(gòu)，分子呈二維有序排列的是向列型液晶。
題型：判斷題