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問(wèn)答題在選擇半導(dǎo)體作為探測(cè)器材料時(shí)，應(yīng)考慮什么原則？

應(yīng)該有大的電阻率，以減小漏電流和減小結(jié)電容；
應(yīng)該有長(zhǎng)的載流子壽命，以保證大體積下載流子的收集。

1.問(wèn)答題電子和空穴的飽和漂移速度在什么量級(jí)？

～107cm/s

2.問(wèn)答題“電子——空穴對(duì)”是如何產(chǎn)生的？

帶電粒子在半導(dǎo)體中的電離，使得價(jià)帶中的電子進(jìn)入導(dǎo)帶，形成電子－空穴對(duì)。

3.問(wèn)答題半導(dǎo)體探測(cè)器具有非常好的能量分辨率特性和較高的本征探測(cè)效率，它的載流子是“電子——空穴對(duì)”。哪么產(chǎn)生一個(gè)“電子－空穴對(duì)”需要的平均電離能是多少？法諾因子的范圍是多少？

～3eV。法諾因子：Si：0.085-0.16，Ge：0.057-0.129

4.問(wèn)答題都是NaI探測(cè)器，體積相同，形狀不同：1英吋（直徑）×8英吋vs2英吋（直徑）×2英吋。

后者大

5.問(wèn)答題形狀尺寸相同，原子序數(shù)相當(dāng)，密度不同：密度大vs密度小。

前者大