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問答題增加金硅面壘探測器的反向電壓，會有什么好處，又會有什么壞處？應(yīng)該怎么選擇反向電壓的大?。亢锰幨?

增大靈敏體積，減小結(jié)電容（電容噪聲小）；
壞處是反向電流會增大；
反向電壓有一個最優(yōu)值，此時能量分辨率最好。

1.問答題在影響半導(dǎo)體探測器分辨率的各項(xiàng)因素中，電荷靈敏前置放大器的噪聲也是重要的一項(xiàng)。什么是零電容噪聲，什么是噪聲斜率？如果零電容噪聲為1keV，噪聲斜率為0.03keV/pf，現(xiàn)知道由前放造成的能量展寬為7keV，哪么探測器的電容是多大？

200pf

2.問答題綜合考慮各項(xiàng)因素對能量分辨率的影響之后，我們將得到一個總的能量展寬ΔE。各分項(xiàng)因素的貢獻(xiàn)ΔE1，ΔE2，ΔEi等與ΔE之間存在什么關(guān)系？

它們之間是平方和關(guān)系

3.問答題要實(shí)現(xiàn)這么好的能量分辨率，勢必要考慮其它因素對能量分辨率的“敗壞”問題，有什么因素會使金硅面壘探測器測量到的能量分辨率變差呢？

4.問答題就統(tǒng)計學(xué)特性而言，PN結(jié)探測器能夠?qū)崿F(xiàn)很好的分辨率。如果只考慮統(tǒng)計漲落問題，一個5.486MeV的α粒子在金硅面壘探測器中的能量分辨率是多少？

～4keV

5.問答題載流子在產(chǎn)生之后會有哪些過程使之損失或無法形成信號？為什么希望載流子的壽命長？