單項選擇題方法不能獲得過飽和點缺陷（）。
A.高溫淬火
B.冷變形
C.輻照
D.退火
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1.單項選擇題實際晶體強度遠遠低于理論強度的原因，是由于實際晶體中存在大量的（）
A.晶界
B.亞晶界
C.空位
D.位錯
3.問答題影響晶體生長形態(tài)的外因？
4.問答題晶體、非晶體、準晶體的異同？
5.問答題為什么細金化能提高材料的強度和斷裂韌性？
最新試題
金屬的殘余應力可能造成的后果有（）
題型：多項選擇題
按性能分可將復合材料分為（）
題型：多項選擇題
液晶基元包括（）
題型：多項選擇題
除取向有序外，還有分子質(zhì)心組成的層狀結(jié)構(gòu)，分子呈二維有序排列的是向列型液晶。
題型：判斷題
電阻率最低的三種元素是（）
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準一維納米材料是指在兩個維度上為納米尺度，長度約為微米級、毫米級的新型納米材料。下列各選項中，屬于準一維納米材料的是（）
題型：單項選擇題
下列關(guān)于杠桿定律說法錯誤的是（）
題型：單項選擇題
-A-A-A-A-B-B-B-B-B-A-A-A-A-屬于（）共聚物。
題型：單項選擇題
下列屬于晶體缺陷的是（）
題型：多項選擇題