單項(xiàng)選擇題屬于線缺陷（）。
A.堆垛層錯(cuò)
B.孿晶界
C.位錯(cuò)
D.間隙原子
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1.單項(xiàng)選擇題不屬于點(diǎn)缺陷（）。
A.空位
B.孿晶界
C.置換原子
D.間隙原子
2.單項(xiàng)選擇題不屬于面缺陷（）。
A.相界面
B.位錯(cuò)
C.堆垛層錯(cuò)
D.亞晶界
3.單項(xiàng)選擇題方法不能獲得過飽和點(diǎn)缺陷（）。
A.高溫淬火
B.冷變形
C.輻照
D.退火
4.單項(xiàng)選擇題實(shí)際晶體強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于理論強(qiáng)度的原因，是由于實(shí)際晶體中存在大量的（）
A.晶界
B.亞晶界
C.空位
D.位錯(cuò)
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復(fù)合材料具有哪些特點(diǎn)？（）
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