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填空題阻容耦合放大電路加入不同頻率的輸入信號時，低頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于存在（）；高頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于存在（）。

參考答案： 耦合電容和旁路電容的影響；放大器件內(nèi)部的極間電容的影響

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1.填空題幅頻響應的通帶和阻帶的界限頻率被稱為（）

參考答案：截止頻率

2.填空題放大器的頻率特性包括（）和（）兩個方面，產(chǎn)生頻率失真的原因是（）。

參考答案：幅頻響應；相頻響應；放大器對不同頻率的信號放大倍數(shù)不同

3.填空題放大器的頻率特性表明放大器對（）適應程度。表征頻率特性的主要指標是（）。

參考答案：不同頻率信號；中頻電壓放大倍數(shù)，上限截止頻率和下限截止頻率

4.填空題 在如圖電路中，當放大器處于放大狀態(tài)下調(diào)整電路參數(shù)，試分析電路狀態(tài)和性能的變化。（在相應的空格內(nèi)填“增大”、“減小”或“基本不變”。）
（1）若bR阻值減小，則靜態(tài)電流I_B將（），V將_CE（），電壓放大倍數(shù)∣Av∣將（）。
（2）若換一個β值較小的晶體管，則靜態(tài)的I_B將（），V_CE將（），電壓放大倍數(shù)∣Av∣將（）。
（3）若R_C阻值增大，則靜態(tài)電流I_B將（），V_CE將（），電壓放大倍數(shù)∣Av∣將（）

參考答案：增大；減小；增大；不變；增大；減小；不變；減??；增大

5.填空題 在如圖電路中，某一參數(shù)變化時，V_CEQ的變化情況（a.增加，b.減小，c.不變，將答案填入相應的空格內(nèi)）。
（1）R_b增加時，V_CEQ將（）。
（2）R_c減小時，V_CEQ將（）。
（3）R_C增加時，V_CEQ將（）。
（4）R_s增加時，V_CEQ將（）。
（5）β減小時（換管子），V_CEQ將（）。
（6）環(huán)境溫度升高時，V_CEQ將（）

參考答案：增大；增大；減?。徊蛔?；增大；減小