在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

光生伏特效應(yīng)

本征吸收

激活劑

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

光電導(dǎo)效應(yīng)

陰極射線致發(fā)光

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。

光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。