光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。

提高光刻最小線(xiàn)寬可以通過(guò)提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。

等離子體

TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒(méi)有要求。

硅中常見(jiàn)的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。

光生伏特效應(yīng)

XPS只能檢測(cè)元素種類(lèi)，無(wú)法標(biāo)定元素含量。

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。

陰極射線(xiàn)致發(fā)光

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。