問(wèn)答題靜電對(duì)電子器件的危害。
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1.問(wèn)答題靜電的產(chǎn)生。
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5.問(wèn)答題VOH/IOH靜態(tài)測(cè)試方法。
最新試題
內(nèi)光電效應(yīng)
題型：名詞解釋
GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
題型：判斷題
硅中常見(jiàn)的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。
題型：判斷題
有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說(shuō)法。
題型：判斷題
光生伏特效應(yīng)
題型：名詞解釋
猝滅劑
題型：名詞解釋
通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。
題型：判斷題
光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題