MBE只能用于III-V族化合物的生長。

光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

AFM通常用來觀測樣品表面形貌。

內(nèi)光電效應(yīng)

XPS只能檢測元素種類，無法標(biāo)定元素含量。

敏化劑

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

磁滯回線

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。