本征吸收

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實現(xiàn)。

GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級

猝滅劑

PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。

通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。

半導(dǎo)體中的價帶空穴電流其實就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價說法。

當(dāng)一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的