通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。

本征光電導(dǎo)

半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說法。

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

MBE只能用于III-V族化合物的生長(zhǎng)。

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

本征吸收

PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。

TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒有要求。