在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）

AFM通常用來(lái)觀測(cè)樣品表面形貌。

光電導(dǎo)效應(yīng)

所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

MOSFET開(kāi)關(guān)的基本工作原理是通過(guò)（）極電壓來(lái)控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

本征吸收

XPS只能檢測(cè)元素種類，無(wú)法標(biāo)定元素含量。

陰極射線致發(fā)光

等離子體