說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類(lèi)（）。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。