什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。