A.描繪曝光量與密度之間關(guān)系
B.橫坐標為密度
C.由足部、直線部、肩部、反轉(zhuǎn)部構(gòu)成
D.足部曝光不足
E.產(chǎn)生反轉(zhuǎn)是由于潛影溴化的結(jié)果
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A.產(chǎn)生反轉(zhuǎn)是由于曝光不足所致
B.為線性
C.膠片感光速度越快初感點越高
D.直線部密度與曝光量成反比
E.可表示感光材料的特性
A.12Ω
B.8Ω
C.4Ω
D.6Ω
E.10Ω
A.射頻發(fā)射器
B.高壓發(fā)生器
C.功率放大器
D.發(fā)射線圈
E.接收線圈
A.1971年9月
B.1971年10月
C.1972年4月
D.1974年11月
E.1979年8月
A.在線高速主存儲設(shè)備、接入層設(shè)備及備份存儲設(shè)備
B.匯聚層設(shè)備、存儲設(shè)備及接入設(shè)備
C.近線存儲設(shè)備、備份存儲設(shè)備及接入設(shè)備
D.離線高速主存儲設(shè)備、近線存儲設(shè)備及備份存儲設(shè)備
E.在線高速主存儲設(shè)備、近線存儲設(shè)備及備份存儲設(shè)備
A.大幅度減少散射線的干擾
B.決定掃描層的厚度
C.減少患者的輻射劑量
D.提高圖像質(zhì)量
E.決定像素的長和寬
A.控制臺內(nèi)
B.球管內(nèi)陽極端
C.球管內(nèi)陰極端
D.高壓發(fā)生器內(nèi)
E.管套中央部
A.TFT
B.a-Se
C.CsI
D.A/D轉(zhuǎn)換器
E.儲能電容
A.X線管燈絲斷路
B.高壓變壓器斷路
C.X線管焦點變形破損
D.X線管陽極側(cè)高壓電纜未接觸
E.燈絲變壓器斷路
A.1/6
B.1/5
C.1/4
D.1/3
E.1/2