A.與物質(zhì)的原子序數(shù)成正比
B.與入射光子的能量成反比
C.與入射光子的波長(zhǎng)成正比
D.與入射光子的頻率成反比
E.與管電流成正比
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A.靶物質(zhì)
B.管電流
C.管電壓
D.高壓波形
E.以上都是
A.0.008266nm
B.0.012399nm
C.0.020665nm
D.0.016532nm
E.0.024798nm
A.是不同射線類(lèi)型對(duì)組織和器官形成輻射危害的度量
B.單位與當(dāng)量劑量的單位相同
C.SI單位是Sv
D.是以輻射誘發(fā)的隨機(jī)性效應(yīng)的發(fā)生率為基礎(chǔ)的
E.以上都不對(duì)
A.0度
B.Ⅰ度
C.Ⅱ度
D.Ⅲ度
E.Ⅳ度
A.R和rad
B.Gy和Ci
C.Gy和rad
D.Sv和rad
E.Sv和Ci
A.有效劑量
B.當(dāng)量劑量
C.照射量
D.比釋動(dòng)能
E.半價(jià)層
A.陰極產(chǎn)生的電子能量不同
B.固有濾過(guò)材料不同
C.靶物質(zhì)的材料不同
D.由于光電效應(yīng)所致
E.由于康普頓效應(yīng)所致
A.相干散射不產(chǎn)生電離過(guò)程
B.光電效應(yīng)產(chǎn)生的幾率與能量成正比
C.康普頓效應(yīng)產(chǎn)生的幾率與能量成反比
D.不發(fā)生電子對(duì)效應(yīng)
E.不發(fā)生光核反應(yīng)
T2*是指()
A.T2加權(quán)
B.T2時(shí)間
C.實(shí)際T2時(shí)間
D.自旋-自旋弛豫時(shí)間
E.自旋-晶格弛豫時(shí)間
A.信號(hào)強(qiáng)度大
B.可以進(jìn)行功能磁共振
C.采集時(shí)間短
D.高空間分辨率
E.可設(shè)計(jì)為開(kāi)放性磁體