單項選擇題多絲正比電離室探測器是（）

A.直接探測器
B.間接探測器
C.模擬探測器
D.平板探測器
E.動態(tài)探測器


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1.單項選擇題間接FPD的信號轉(zhuǎn)化過程是（）

A.X線－電信號－數(shù)字圖像
B.X線－可見光－電信號－數(shù)字圖像
C.X線－可見光－電信號－模擬圖像
D.X線－電信號－熒光屏－模擬圖像
E.X線－電信號－熒光屏－數(shù)字圖像

2.單項選擇題非晶硒FPD的優(yōu)點不包括（）

A.成像環(huán)節(jié)少
B.吸收率高
C.靈敏度高
D.量子檢出效率高
E.無電離輻射

3.單項選擇題X線照射到直接FPD上時，X線光子使非晶硒激發(fā)出（）

A.可見光
B.電子空穴對
C.熒光
D.正電子
E.低能X射線

4.單項選擇題FPD的中文全稱為（）

A.影像板
B.平板探測器
C.光敏照相機
D.平面回波序列
E.直接數(shù)字X線攝影

6.單項選擇題CR的第三象限英文簡稱（）

A.IPC
B.IRC
C.IRD
D.EDR
E.PSP

7.單項選擇題CR四象限理論中，第四象限對應(yīng)的曲線為（）

A.照片特性曲線
B.增感屏特性曲線
C.IP特性曲線
D.光激勵熒光物的特性曲線
E.FPD特性曲線

8.單項選擇題CR中EDR的中文全稱是（）

A.影像記錄裝置
B.曝光數(shù)據(jù)識別器
C.薄膜晶體管陣列
D.光電倍增管
E.曝光指示器

10.單項選擇題CR中光激勵發(fā)光的波長為（）

A.100～200nm
B.390～490nm
C.290～390nm
D.200～300nm
E.190～290nm