單項選擇題關于平板探測器的敘述，錯誤的是（）

A.有直接轉換型和間接轉換型
B.其極限分辨率比屏/片系統(tǒng)低
C.其MTF比屏/片系統(tǒng)低
D.其DQE比屏/片系統(tǒng)高
E.DQE比CR系統(tǒng)高


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1.單項選擇題關于CR的工作原理，正確的是（）

A.IP由基層、熒光體層和保護層構成
B.IP由基層、晶體層構成
C.IP用于檢測圖像數(shù)據(jù)
D.IP用于存儲圖像數(shù)據(jù)
E.IP用于傳輸圖像數(shù)據(jù)

3.單項選擇題多絲正比電離室探測器是（）

A.直接探測器
B.間接探測器
C.模擬探測器
D.平板探測器
E.動態(tài)探測器

4.單項選擇題間接FPD的信號轉化過程是（）

A.X線－電信號－數(shù)字圖像
B.X線－可見光－電信號－數(shù)字圖像
C.X線－可見光－電信號－模擬圖像
D.X線－電信號－熒光屏－模擬圖像
E.X線－電信號－熒光屏－數(shù)字圖像

5.單項選擇題非晶硒FPD的優(yōu)點不包括（）

A.成像環(huán)節(jié)少
B.吸收率高
C.靈敏度高
D.量子檢出效率高
E.無電離輻射

6.單項選擇題X線照射到直接FPD上時，X線光子使非晶硒激發(fā)出（）

A.可見光
B.電子空穴對
C.熒光
D.正電子
E.低能X射線

7.單項選擇題FPD的中文全稱為（）

A.影像板
B.平板探測器
C.光敏照相機
D.平面回波序列
E.直接數(shù)字X線攝影

8.單項選擇題一般將IP上產(chǎn)生多少的照射量作為基礎的目標照射量（）

A.1mR
B.10mR
C.100mR
D.1000mR
E.10000mR

9.單項選擇題CR的第三象限英文簡稱（）

A.IPC
B.IRC
C.IRD
D.EDR
E.PSP

10.單項選擇題CR四象限理論中，第四象限對應的曲線為（）

A.照片特性曲線
B.增感屏特性曲線
C.IP特性曲線
D.光激勵熒光物的特性曲線
E.FPD特性曲線