A.大腦皮層和皮層下廣泛損傷
B.嚴(yán)重缺氧性腦損傷,如溺水
C.麻醉狀態(tài)
D.Ⅱ期睡眠
E.大劑量中樞抑制性藥物,如苯巴比妥
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A.參考導(dǎo)聯(lián)記錄的是每個(gè)記錄電極周?chē)慕^對(duì)電位,而不是電位差
B.無(wú)論參考導(dǎo)聯(lián)還是雙極導(dǎo)聯(lián)記錄的都是兩個(gè)電極之間的電位差
C.參考導(dǎo)聯(lián)和雙極導(dǎo)聯(lián)都會(huì)受到耳電極活化的干擾
D.一個(gè)記錄電極在參考導(dǎo)聯(lián)上顯示為負(fù)相波,那么在雙極導(dǎo)聯(lián)上也為負(fù)相波
E.雙極導(dǎo)聯(lián)的定位意義總是優(yōu)于參考導(dǎo)聯(lián)
A.Na+通道開(kāi)放,Na+內(nèi)流,膜內(nèi)變正,形成上升支
B.Na+通道開(kāi)放,Na+外流,膜內(nèi)變負(fù),形成上升支
C.K+順濃度差外流,形成復(fù)極化,形成動(dòng)作電位上升支
D.K+順濃度差內(nèi)流,形成復(fù)極化,形成動(dòng)作電位上升支
E.Ca2+順濃度差內(nèi)流,形成動(dòng)作電位上升支
A.全夜睡眠記錄
B.觀(guān)察間隔較長(zhǎng)的周期性改變
C.新生兒的交替睡眠圖
D.暴發(fā)性抑制波
E.癲癇樣放電的識(shí)別
A.負(fù)相信號(hào)位于C4,并活化了耳電極
B.負(fù)相信號(hào)位于C4,擴(kuò)散到了F4、P4,僅在很小程度上影響了O2
C.負(fù)相信號(hào)位于O2,并擴(kuò)散到了F4、C4、P4
D.負(fù)相信號(hào)位于FP2,并活化了耳電極
E.負(fù)相信號(hào)位于F4、P4,并擴(kuò)散到了C4和O2
A.單導(dǎo)聯(lián)、分析靈活
B.存儲(chǔ)方便,容量大
C.儀器小型化、高速度
D.不存在頻率響應(yīng)限制
E.不會(huì)受記錄筆偏轉(zhuǎn)范圍的限制
A.8個(gè)
B.10個(gè)
C.12個(gè)
D.14個(gè)
E.16個(gè)
A.與原始腦波形態(tài)相同
B.僅是單個(gè)采樣點(diǎn),不能形成波形
C.還需要5~10個(gè)采樣點(diǎn),里反映其實(shí)際頻率
D.形態(tài)與原始波形有差異,波形幅度較原始低
E.形態(tài)與原始波形有差異,波形幅度較原始高
A.指的是波形與時(shí)間的關(guān)系
B.可出現(xiàn)正相波和負(fù)相波
C.可產(chǎn)生同位相信號(hào)和非同位相信號(hào)
D.90度位相差時(shí)出現(xiàn)位相倒置
E.兩側(cè)半球可產(chǎn)生同位相
A.在兩個(gè)或兩個(gè)以上不相鄰的部位出現(xiàn)的特殊腦波
B.在兩個(gè)或兩個(gè)以上不同時(shí)間出現(xiàn)的特殊腦波
C.三個(gè)或三個(gè)以上位于不同部位的腦波
D.三個(gè)或三個(gè)以上位于不同部位、相同時(shí)間出現(xiàn)的腦波
E.在兩個(gè)或兩個(gè)以上不相鄰的部位且不在同一時(shí)間出現(xiàn)的特殊腦波
A.是因?yàn)榇竽X左半球占優(yōu)勢(shì)
B.語(yǔ)言神經(jīng)中樞在左半球
C.感知中樞在右半球
D.左手優(yōu)勢(shì)的人應(yīng)該及時(shí)改為右手優(yōu)勢(shì)
E.左手優(yōu)勢(shì)的人反應(yīng)比較慢
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