單項(xiàng)選擇題電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(電力MOSFET)()現(xiàn)象。

A.有二次擊穿
B.無(wú)二次擊穿
C.防止二次擊穿
D.無(wú)靜電擊穿


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1.單項(xiàng)選擇題電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(電力MOSFET)適合于在()條件下工作。

A.直流
B.低頻
C.中頻
D.高頻

2.單項(xiàng)選擇題電力晶體管在使用時(shí),要防止()。

A.二次擊穿
B.靜電擊穿
C.時(shí)間久而失效
D.工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)

3.單項(xiàng)選擇題電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(電力MOSFET)是理想的()控制器件。

A.電壓
B.電流
C.電阻
D.功率

4.單項(xiàng)選擇題功率晶體管(GTR)從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱(chēng)為()。

A.一次擊穿
B.二次擊穿
C.臨界飽和
D.反向截至

9.單項(xiàng)選擇題在晶閘管工作過(guò)程中,管子本身產(chǎn)生的管耗等于管子兩端電壓乘以()

A.陽(yáng)極電流
B.門(mén)極電流
C.陽(yáng)極電流與門(mén)極電流之差
D.陽(yáng)極電流與門(mén)極電流之和

10.單項(xiàng)選擇題處于阻斷狀態(tài)的晶閘管,只有在陽(yáng)極與陰極間加正向電壓,且在門(mén)極與陰極間作()處理才能使其開(kāi)通。

A.并聯(lián)一電容
B.串聯(lián)一電感
C.加正向觸發(fā)電壓
D.加反向觸發(fā)電壓