A.MOSFET的輸出特性分三個區(qū):截止區(qū)、非飽和區(qū)以及放大區(qū)
B.MOSFET的輸出特性分三個區(qū):截止區(qū)、非飽和區(qū)和飽和區(qū)
C.MOSFET的輸出特性分三個區(qū):截止區(qū)、放大區(qū)和非飽和區(qū)
D.MOSFET的輸出特性分三個區(qū):截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.雖然GTR存在二次擊穿現(xiàn)象,但GTR的安全工作區(qū)與二次擊穿現(xiàn)象無關(guān)
B.GTR的安全工作區(qū)就是二次擊穿曲線
C.GTR的安全工作區(qū)與其存在二次擊穿現(xiàn)象有關(guān)
D.GTR的安全工作區(qū)是矩形的
A.允許流過最大電流的平均值
B.允許流過最大方波電流的平均值
C.允許流過最大工頻正弦半波電流的有效值
D.允許流過最大的工頻正弦半波電流的平均值
A.晶閘管加反向電壓時,只要門極也加反向電壓,則晶閘管反向?qū)?br/>B.反向特性類似于二極管的反向特性
C.晶閘管不允許加反向電壓,如果加反向電壓,立刻擊穿
D.晶閘管加反向電壓時,只要門極電流幅值較大,則晶閘管反向?qū)?/p>
A.要使晶閘管關(guān)斷,則晶閘管的陽極電流要降到1A以下
B.要使晶閘管關(guān)斷,只能要求晶閘管門極電流等于0
C.要使晶閘管關(guān)斷,則晶閘管的陽極電流要降到接近于零的某一數(shù)值以下
D.要使晶閘管關(guān)斷,只能在晶閘管兩端加反向電壓
A.在晶閘管陽極——陰極之間無論加正向或反向電壓,只要門極加正向電壓,產(chǎn)生足夠的門極電流,則晶閘管導(dǎo)通
B.在晶閘管陽極——陰極之間加反向電壓,門極也加正向電壓,產(chǎn)生足夠的門極電流,則晶閘管導(dǎo)通
C.在晶閘管陽極——陰極之間加反向電壓,門極加正向電壓,產(chǎn)生足夠的門極電流,則晶閘管導(dǎo)通
D.在晶閘管陽極、門極(都相對于陰極)加正向電壓,產(chǎn)生足夠的門極電流,則晶閘管導(dǎo)通
A.晶閘管具有PNP或NPN三層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
B.晶閘管具有PNP和NPN六層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
C.晶閘管具有PN或NP兩層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
D.晶閘管具有PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
A.允許流過最大方波電流的平均值
B.允許流過最大電流的平均值
C.允許流過最大工頻正弦半波電流的有效值
D.允許流過最大工頻正弦半波電流的平均值
A.電力二極管的基本原理就是PN結(jié)的單向?qū)щ娦?br/>B.電力二極管加正向電壓后其正向壓降為0.7V
C.電力二極管加反向電壓就會被擊穿
D.電力二極管正向?qū)ê螅湔驂航禐?V
A.電力電子器件一般都工作在開通狀態(tài)
B.能處理電功率的能力,一般遠(yuǎn)大于處理信息的電子器件
C.電力電子器件的開通與斷開一般不需要由信息電子電路來控制
D.電力電子器件一般都工作在關(guān)斷狀態(tài)
A.晶閘管開通是即時完成的,關(guān)斷需要一定時間的
B.晶閘管關(guān)斷是即時完成的,開通需要一定時間的
C.晶閘管開通與關(guān)斷過程都是即時完成的
D.晶閘管開通與關(guān)斷都需要一定時間
最新試題
3進(jìn)制的加法計(jì)數(shù)器,需要()塊JK觸發(fā)器。
現(xiàn)有58個信息等待用二進(jìn)制代碼進(jìn)行編碼,需要用8位二進(jìn)制代碼來表示。
二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。
全加器的輸入信號是()
并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中,硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負(fù)載()
所謂異步時序邏輯電路,是指電路中所有的觸發(fā)器,具有同一個時鐘脈沖CP的作用,因此各觸發(fā)器的狀態(tài)也不可能處于同一時刻改變。
集成運(yùn)放在信號運(yùn)算中的應(yīng)用電路有()
放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng),會產(chǎn)生飽和失真或截止失真。
4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長度為()
清零端與脈沖信號的狀態(tài)無關(guān),所以叫做同步清零。