恒流源式的差分放大電路如圖所示。各晶體管的參數(shù)均相同，且β＝60，rbb’＝300Ω，UBE＝0.7V，電源電壓VCC＝12V，VEE＝6V，電阻Rc＝RL＝10kΩ，Rb1＝Rb2＝Rb＝2KΩ，R1＝1KΩ，R2＝R3＝4.3KΩ，Rw＝200Ω，且其滑動(dòng)端位于中點(diǎn)。試估算：
（1）靜態(tài)時(shí)各管的IC和VT1、VT2管的Uc；
（2）差模電壓放大倍數(shù)Aud1=uo1/uid；
（3）差模輸入電阻Rid和輸出電阻Rod；
（4）共模電壓放大倍數(shù)Auc1=uo1/uic和共模抑制比KCMR。
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電路如圖所示，各晶體管的低頻跨導(dǎo)為gm，VT1和VT2管D-S間的動(dòng)態(tài)電阻分別為rds1和rds2。試求解電壓放大倍數(shù)AU＝△uO／△uI的表達(dá)式。
。
已知A為理想運(yùn)放，推導(dǎo)出如圖所示電路的放大電路的增益。
某場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性如圖所示，試判斷該管屬于（）。
A.溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
B.N溝道增強(qiáng)型MOS管
C.N溝道耗盡型MOS管
D.P溝道耗盡型MOS管
A.電流串聯(lián)負(fù)反饋
B.電壓并聯(lián)負(fù)反饋
C.電流并聯(lián)負(fù)反饋
D.電壓串聯(lián)負(fù)反饋
最新試題
對(duì)于半導(dǎo)體材料，隨溫度升高：（）
在實(shí)際工作中，要想傳輸信號(hào)能量，其電壓駐波比應(yīng)該（）。
N溝道和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管所加的柵極控制電壓均為（）。
單邊帶發(fā)射機(jī)的優(yōu)點(diǎn)是（）
接收機(jī)中的揚(yáng)聲器（耳機(jī)）是（）的負(fù)載。
無(wú)線電波中的電場(chǎng)與磁場(chǎng)的夾角應(yīng)為（）。
當(dāng)混頻器輸入信號(hào)的頻率增高一倍時(shí)，輸出中頻信號(hào)頻率（）。
采用分壓式偏置電路后，（）基本不隨溫度變化。
哪一種傳輸器件傳輸?shù)碾姴l率高？（）
甲類(lèi)放大器與其它類(lèi)放大器相比，（）。