已知某DRAM芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)為128×128,存取周期為1us。試分析:
(1)若采用集中式刷新方式,刷新時(shí)間間隔為1ms,則讀寫時(shí)間和刷新時(shí)間分為多少個(gè)周期?死區(qū)占多少時(shí)間?
(2)若采用分散式刷新方式,則相鄰兩行之間的刷新間隔是多少?
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從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)(1)對于同一個(gè)數(shù)值,它的()與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同,符號位相反。(2)浮點(diǎn)數(shù)用()表示數(shù)據(jù)。(3)小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動的數(shù)據(jù)稱為()。(4)浮點(diǎn)數(shù)的溢出,是由其()是否溢出表現(xiàn)出來的。(5)在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位,將最高位的1移走,從而提高數(shù)值的精度,這項(xiàng)處理稱之為()。
()又稱為萬國碼,是由許多語言軟件制造商聯(lián)盟制定的可以容納世界上所有文字和符號的字符編碼方案。
動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲信息的。
由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來實(shí)現(xiàn)的做法被稱為()
RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時(shí)沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,寫出[X]反,正確結(jié)果為()。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,Y=0.1101,求[X -Y]補(bǔ),正確結(jié)果為()。
刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和()之間的矛盾。
計(jì)算機(jī)采用總線結(jié)構(gòu)的好處是()。
從給定的選項(xiàng)中選擇認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.存儲矩陣B.全相聯(lián)映像C.組相聯(lián)映像D.虛擬存儲器E.高速緩存F.主存地址空間G.輔存地址空間H.局部性I.局限性(1)無論是動態(tài)存儲器還是靜態(tài)存儲器,都是由()、地址譯碼器和輸入、輸出控制電路組成的。(2)在Cache的三種映像方式中,()實(shí)際上是對另外兩種映像方式的折中,是它們的普遍形式。(3)計(jì)算機(jī)存儲系統(tǒng)中,()是解決運(yùn)行大程序主存空間不足所使用的技術(shù)。(4)虛擬存儲器有三種地址空間,其中()用于存放運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)。(5)多級結(jié)構(gòu)存儲器系統(tǒng),是建立在程序運(yùn)行的()原理之上的。