A.±1mm
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B.±2mm
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A.<4mm
B.<8mm
C.<6mm
D.<5mm
E.<3mm
A.<8mm
B.<4mm
C.<5mm
D.<6mm
E.<10mm
A.2%
B.<5%
C.4.2%
D.3%
E.2.5%
A.SAD技術(shù),擺位要求是必須保證升床的準(zhǔn)確
B.SAD技術(shù),機(jī)架轉(zhuǎn)角的準(zhǔn)確性和病人體位的誤差都能保證射野中心軸通過腫瘤
C.SSD技術(shù),機(jī)架轉(zhuǎn)角一定要準(zhǔn)確同時(shí)注意病人的體位
D.SSD技術(shù)給擺位帶來方便和準(zhǔn)確,優(yōu)于SAD技術(shù),應(yīng)用越來越多
E.ROT技術(shù),是以腫瘤或靶區(qū)為中心用機(jī)架的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)代替SAD技術(shù)中機(jī)架定角照射
A.高能光子單野
B.高能電子束單野
C.雙光子混合束單野
D.高能光子與電子束混合束單野
E.雙能電子束照射單野
A.腫瘤區(qū)域的劑量分布比較均勻,腫瘤后的正常組織劑量很小
B.腫瘤前的正常組織劑量很低,遠(yuǎn)小于腫瘤劑量
C.它適于治療表淺,偏位部位的腫瘤
D.它以單野照射較好,能量的選擇依據(jù)腫瘤深度而定
E.電子束能量不宜過高,合適的能量范圍4Mev-25Mev
A.患者表面
B.標(biāo)稱源皮距照射時(shí),位于患者體表
C.非標(biāo)稱源皮距照射時(shí),位于患者體表外
D.非標(biāo)稱源皮距照射時(shí),位于患者體表內(nèi)
E.靶區(qū)幾何中心
A.4.0cm
B.4.5cm
C.3.0cm
D.3.5cm
E.3.6cm
A.從表面到一定深度,劑量分布均勻
B.能量高表面劑量低,能量低表面劑量高
C.在一定深度之后,劑量下降快
D.隨能量增加,下降梯度變小
E.劑量建成區(qū)比較窄并隨能量增加而變化
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