如圖(a)所示一定量的理想氣體經(jīng)歷一循環(huán)過程,此過程在V-T圖中用圖線a→b→c→a表示,則該氣體在循環(huán)過程中吸收放熱的情況是()。
A.a→b,c→a過程吸熱,b→c過程放熱 B.a→b過程吸熱,b→c,c→a過程放熱 C.b→c過程吸熱,a→b,c→a過程放熱 D.b→c,c→a過程吸熱,a→b過程放熱
波長范圍為0.095~0.140nm的X射線照射于某晶體上,入射X光與品面之間的夾角(即掠射角)θ=30°,如2-39圖所示,此晶面問的間距為d=0.275nm,則X射線對這晶面能產(chǎn)生強反射的波長是()。
A.0.138nm B.0.119nm C.0.095nm D.0.140nm
設一半面簡諧波表達式為 y=2cos[π(0.5t-200x)] 則該波的振幅(cm)、頻率v(Hz)、波速u(cm·s-1)依次為()。
A.A B.B C.C D.D