A.當(dāng)X線照射非晶硒層時(shí)，可產(chǎn)生負(fù)電荷，電荷在電壓的反偏置作用下以電流的形式沿電場(chǎng)移動(dòng)，由探測(cè)器陣列收集
B.以非晶硒作為光導(dǎo)材料，具有高分辨率和更厚的光導(dǎo)吸收層，可獲得更高的X線靈敏度，也叫DDR
C.當(dāng)X線照射非晶硒層時(shí)，可產(chǎn)生正負(fù)電荷，電荷在電壓的偏置作用下以電流的形式沿電場(chǎng)移動(dòng)，由探測(cè)器陣列收集
D.X線轉(zhuǎn)換介質(zhì)位于探測(cè)器的上層，為非晶硒的光電材料，利用非晶硒的光電特性將X線轉(zhuǎn)換為電信號(hào)
E.以非晶硒作為光導(dǎo)材料，具有高的空間分辨率和薄的光導(dǎo)吸收層，可獲得更高的X線靈敏度，也叫DDR