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填空題

石墨的片層與層狀結(jié)構(gòu)如圖所示：其中C—C鍵長(zhǎng)為142pm，層間距離為340pm（1pm=10－12m）。試回答：

有規(guī)則晶體密度的求算方法：取一部分晶體中的重復(fù)單位（如六棱柱ABCDEF—A₁B₁C₁D₁E₁F₁），計(jì)算它的質(zhì)量和體積，其比值即為所求晶體的密度，用此法可求出石墨晶體的密度為（）g/cm³（保留三位有效數(shù)字）。

參考答案： 2.24

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1.填空題 石墨的片層與層狀結(jié)構(gòu)如圖所示：其中C—C鍵長(zhǎng)為142pm，層間距離為340pm（1pm=10－12m）。試回答：
在片層結(jié)構(gòu)中，碳原子數(shù)、C—C鍵數(shù)、六元環(huán)數(shù)之比為（）。

參考答案：2:3:1

2.填空題 石墨的片層與層狀結(jié)構(gòu)如圖所示：其中C—C鍵長(zhǎng)為142pm，層間距離為340pm（1pm=10－12m）。試回答：
片層中平均每個(gè)六元環(huán)含碳原子數(shù)為（）個(gè)；在層狀結(jié)構(gòu)中，平均每個(gè)六棱柱（如ABCDEF—A1B1C1D1E1F1）含碳原子數(shù)（）個(gè)。

參考答案：2；2

3.單項(xiàng)選擇題標(biāo)準(zhǔn)狀況下，向容積為20 L的密閉容器中充入a mol H₂S和b mol SO₂（a、b為正整數(shù)；a≤5，b≤5），則反應(yīng)完全后，容器內(nèi)氣體可能達(dá)到的最大密度（g/L）是（）。

A. 14.40
B. 8.00
C. 5.60
D. 2.86

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4.單項(xiàng)選擇題VCD光盤上的記錄材料有多種，它們都可在激光照射下發(fā)生化學(xué)或物理的性能改變而記錄，儲(chǔ)存信號(hào)。碲的某化合物是常用的VCD光盤記錄材料之一，對(duì)碲元素及其化合物的以下認(rèn)識(shí)中不正確的是（）。

A.單質(zhì)碲在常溫下是固體
B.H₂Te不如HI穩(wěn)定
C.H₂TeO₄的酸性比H₂SO₄的弱
D.碲元素位于元素周期表第六周期VIA族

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5.多項(xiàng)選擇題在常溫、常壓下將aL SO₂和bL H₂S混和，當(dāng)反應(yīng)后氣體體積是反應(yīng)前氣體體積的四分之一時(shí)，則a與b之比為（）。

A.1︰1
B.1︰2
C.1︰3
D.2︰1

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