單項(xiàng)選擇題降壓斬波電路中，U=200V，R=10ohm，L足夠大，當(dāng)要求Uo=40V，占空比k=（）。

A.0.2
B.0.4
C.5
D.0.5


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1.單項(xiàng)選擇題PWM控制方式的優(yōu)點(diǎn)的有（）。

A.采用固定的開關(guān)頻率
B.濾波電路復(fù)雜
C.輸出電壓寬范圍調(diào)節(jié)
D.不需要接預(yù)負(fù)載

2.單項(xiàng)選擇題以下不屬于直流斬波電路的是（）。

A.BOOST變換器
B.BUCK變換器
C.CUK斬波電路
D.整流電路

4.單項(xiàng)選擇題以下全控型電力電子器件中通過電流最大的是（）。

A.GTR
B.IGBT
C.MOSFET
D.晶閘管

5.單項(xiàng)選擇題以下不是防止MOSFET被靜電擊穿的措施的是（）。

A.將電路存放在靜電包裝袋
B.焊接時(shí)電烙鐵應(yīng)斷電
C.測試儀器必須良好接地
D.用手直接將MOSFET放到測試臺上

6.單項(xiàng)選擇題以下不是引起IGBT的發(fā)生擎住效應(yīng)的原因是（）。

A.集電極電流過大
B.電壓上升率過大
C.溫度升高
D.電源電壓過低

7.單項(xiàng)選擇題以下不是IGBT的管腳名稱的是（）。

A.集電極
B.發(fā)射極
C.柵極
D.門極

8.單項(xiàng)選擇題以下不是IGBT的工作區(qū)域的是（）。

A.正向阻斷區(qū)
B.有源區(qū)
C.負(fù)阻區(qū)
D.飽和區(qū)

9.單項(xiàng)選擇題以下不是MOSFET的管腳名稱的是（）。

A.柵極
B.漏極
C.源極
D.基極

10.單項(xiàng)選擇題以下不是MOSFET的工作區(qū)域的是（）。

A.截止區(qū)
B.放大區(qū)
C.非飽和區(qū)
D.飽和區(qū)