光刻工藝對準誤差包括（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

消除鳥嘴效應的方法有（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。