判斷題由于電力MOSFET靠多子導(dǎo)電，不存在少子儲(chǔ)存效應(yīng)，因此其開(kāi)關(guān)過(guò)程非常迅速。

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1.多項(xiàng)選擇題對(duì)IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)的比較正確的是（）

A.IGBT的開(kāi)關(guān)速度低于電力MOSFET，電壓，電流容量不及GTO
B.GTR的開(kāi)關(guān)速度高，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，存在二次擊穿問(wèn)題
C.GTO的電壓、電流容量大，但其關(guān)斷增益也很大
D.電力MOSFET的開(kāi)關(guān)速度最快，但驅(qū)動(dòng)電路比較復(fù)雜

2.單項(xiàng)選擇題下列不屬于交流電力電子開(kāi)關(guān)特點(diǎn)的是（）

A.響應(yīng)速度快
B.無(wú)觸點(diǎn)
C.損耗低
D.壽命長(zhǎng)

3.單項(xiàng)選擇題SVPWM調(diào)制實(shí)現(xiàn)過(guò)程中，以下不屬于其生成步驟的是（）

A.扇區(qū)判斷
B.有效矢量作用時(shí)間計(jì)算
C.矢量合成
D.載波調(diào)制

4.單項(xiàng)選擇題SVPWM相比于SPWM，不屬于SVPWM特點(diǎn)的是（）

A.電壓利用率高
B.輸出電壓諧波含量低
C.調(diào)制過(guò)程簡(jiǎn)單
D.計(jì)算復(fù)雜

5.單項(xiàng)選擇題下列哪種矢量中點(diǎn)電流不為零？（）

A.長(zhǎng)矢量
B.零矢量
C.中矢量
D.負(fù)矢量

6.單項(xiàng)選擇題補(bǔ)償中點(diǎn)電壓平衡是利用（）中點(diǎn)電流極性相反的特性。

A.正負(fù)小矢量
B.中矢量
C.長(zhǎng)矢量
D.零矢量

7.單項(xiàng)選擇題影響三相NPC三電平變換器中點(diǎn)電壓平衡直接因素不包含（）

A.調(diào)制度
B.母線電壓
C.功率因數(shù)
D.母線電容

8.單項(xiàng)選擇題單相NPC三電平空間矢量圖中不存在下列哪種電壓矢量？（）

A.正小矢量
B.負(fù)小矢量
C.長(zhǎng)矢量
D.中矢量

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