A.體積較大
B.對(duì)側(cè)向散射反應(yīng)不靈敏
C.受“熱效應(yīng)”影響大
D.易受環(huán)境及溫度影響
E.受照射野大小影響
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A.10
B.12
C.14
D.16
E.18
A.P90%-10%
B.P90%-20%
C.P80%-10%
D.P80%-20%
E.P95%-20%
A.皮膚癌
B.淋巴瘤
C.眼內(nèi)黑色素瘤
D.宮頸癌
E.食管癌
A.結(jié)構(gòu)復(fù)雜,不易出故障
B.結(jié)構(gòu)復(fù)雜,容易出故障
C.結(jié)構(gòu)復(fù)雜,不易出故障,無(wú)須定期檢測(cè)
D.結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于出故障,需定期檢測(cè)
E.結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,不易出故障
A.X(γ)射線與物質(zhì)相互作用中,單位長(zhǎng)度的能量損失份額
B.X(γ)射線與物質(zhì)相互作用中,單位質(zhì)量厚度的能量損失
C.X(γ)射線與物質(zhì)相互作用中,單位質(zhì)量厚度被物質(zhì)吸收的能量份額
D.X(γ)射線與物質(zhì)相互作用中,單位長(zhǎng)度被物質(zhì)吸收的能量份額
E.帶電粒子與物質(zhì)相互作用中,單位質(zhì)量被物質(zhì)吸收的能量份額
A.200KV X射線
B.400KV X射線
C.6MV X射線
D.10MV X射線
E.電子線
A.線性碰撞阻止本領(lǐng)
B.質(zhì)量碰撞阻止本領(lǐng)
C.線性輻射阻止本領(lǐng)
D.質(zhì)量輻射阻止本領(lǐng)
E.傳能線密度
A.電子
B.質(zhì)子
C.α粒子
D.重離子
E.X(γ)光子
A.4.78MeV
B.4.60MeV
C.4.78MeV和4.60MeV
D.0.18MeV
E.9.38MeV
A.10-1
B.10-2
C.10-3
D.10-4
E.10-5
最新試題
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
百分深度劑量受照射野面積的影響。
電離室型劑量?jī)x在每次測(cè)量前必需對(duì)氣溫和氣壓進(jìn)行修正。
LET=()Kev/μm 是高低LET 射線的分界線。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到()。
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱分別為QA、QC。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒(méi)有確定的射程。